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Morphology of Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaAs(001)

Published online by Cambridge University Press:  17 March 2011

F. Arciprete
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
F. Patella
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
M. Fanfoni
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
S. Nufris
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
E. Placidi
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
D. Schiumarini
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
A. Balzarotti
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
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Abstract

We have followed by Atomic Force Microscopy (AFM) the epitaxial growth of InAs on GaAs(001) starting from the initial formation of a strained two-dimensional wetting layer up to the self-assembled nucleation and growth of 3D nanoparticles. In this work we underline many aspects of the morphology of this system, which substantiate the role either of kinetics on thermodynamics in the process of growth as well as the role of surface instabilities in controlling lateral ordering of the nanoaggregates.

Type
Research Article
Copyright
Copyright © Materials Research Society 2002

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