Effet des traitements thermiques sur lecomportement électrique des couches desilicium polycristallin pour des applications photovoltaïques

Abstract

La puissance débitée par les systèmes solaires ne cesse d’augmenter, soit par l’amélioration du rendement de conversion, soit par la multiplication des techniques de fabrication des photopiles solaires. Devant l’offre de fortes sources d’énergies conventionnelles à des prix relativement bas, l’utilisation du silicium polycristallin aboutit aux cellules polycristallines à faible coût de production. Cependant, les paramètres photovoltaïques de ce type de cellules sont affectés par l’existence des joints de grains et la ségrégation des impuretés à leurs niveaux. Ceci nous a ammené à nous intéresser dans le cadre de ce travail à l’influence des traitements thermiques sur le comportement électrique des couches de silicium polycristallin destinées à des applications photovoltaïques. Les résultats obtenus ont montré que les couches dopées arsenic sont plus résistives que celles dopées bore, et que les traitements thermiques réduisent le nombre de porteurs piégés et la quantité d’atomes de dopant aux joints de grains. D’autre part, cette étude nous a permis de constater que l’élévation de la température des traitements thermiques favorise l’augmentation de la conductivité électrique. De plus, la conductivité électrique dans des couches dopées bore est plus élevée que celle dans des couches dopées arsenic.